写这则新闻的时候我是怀着相当的喜悦再写的，这真的是一次几十年来的革命性突破，这项技术的突破，将会给本就处于瓶颈期的芯片制造工业带来里程碑意义的突破，老实说我对这项技术的定义，就像5G引领2G3G4G一样，他就是这么牛逼，凭借这项技术，弯道超车，实现从7nm到5nm的跳跃，不是完全没有可能，华为芯片难题的解决，终于是看到了一丝希望。 什么技术这么牛逼，还能赶超一个时代 10月29日，中科院上海微系统团队公布了一种新型的更优越的芯片生产原料——8英寸石墨烯晶圆，虽然这个材料的名字有点艰涩难懂，还不够霸气，可是它却意味着，19世纪60年代以来，几乎处于停滞状态的材料技术，第一次革命性的突破，这项技术的突破究竟有多大的意义呢，首先我得告诉大家，现在的芯片制造材料基本都是硅基晶圆，把这个记住就好了。 芯片史上的两次大危机 芯片工艺的发展一直伴随着一个1965年发现的万人臣服的定律——摩尔定律：每代芯片的容量相比于上一代都会提升一倍，并且，两代芯片之间的间隔通常会在18~24个月之间。 这也就意味着根据这个规律，芯片的算力上升速度与时间的比值将会是指数级的，而发现这个规律的人，就是现在全球第一大CPU厂商英特尔的创始人（知道这个人牛逼就可以了），也是基于这个规律，芯片发展到现在曾出现过两次危机。 第一次是在芯片工艺发展到20nm级别的时候，由于晶体管越来越多，他们之间的距离也就越来越小，所以芯片常常会出现漏电、异常升温，像手机芯片的骁龙810、apple A8、联发科X20都在这一工艺上栽了跟头。在这儿就暴露出了硅基晶圆漏电、升温的弊端。 当时有人将芯制造的工艺进行了升级换代，又能装下更多的晶体管了，也就发展到现在的7nm工艺，5nm工艺，目前一块5nm工艺的芯片里晶体管的数量，像华为的麒麟900就已经高达153亿个，本来20nm的时候就会出症状，更何况现在比以前多了几倍的晶体管。 虽然EUV光刻机的出现解决了芯片的生产问题，但是显然作为芯片制造材料的硅基晶圆恐怕是已经到达了到了自己的极限，一旦5nm技术向3nm技术突破的时候，谁用硅基晶圆就等着跟当年的三星一样，手机爆炸吧。 其实早在本世纪初就各大公司各个国家就在寻找一种极限高于硅基晶圆的芯片制造材料，但都无收获，直到10月29日，中科院上海微系统团队公布了一种新型的更优越的芯片生产原料——8英寸石墨烯晶圆。 石墨烯晶圆的强悍在于什么？ 有了前面的铺垫，我们再来看看我们的材料怎么个厉害法，由墨烯晶圆铸造的芯片叫做碳基芯片（现在都是硅基芯片），现在90nm的碳基芯片就相当于28nm的硅基芯片，60nm甚至45nm工艺的制造；以媲美10nm或7nm硅基芯片。 当然了，我这说的只是晶体管数量，要是把功耗、安防之类的算进去，硅基芯片就真的无法比了。同时，碳基芯片由于独特的性能，碳基芯片可以实现可折叠的柔软性芯片，以及透明芯片的制作，这意味着什么你知道吗？就是几年前你在《爱情公寓》里看到的苹果20代——手机透明化，全息投影，简直不要太科幻。不巧的是，这项技术，我们中国，世界第一，无人能及。 总结：祖国太牛逼了 看到这儿你知道为什么我开头吹得怎么厉害了吧，我的天，太强了，或许继续利用硅基芯片依然能过渡到3nm的级别，但是只要碳基芯片发展到20nm左右的时候，就比3nm的硅基芯片强大太多太多了。而且20nm芯片制作工艺早已成熟，虽然之前都是制作硅基芯片，但稍加探索磨合，要制作出来，完全不是问题，至于ASML的高端光刻机我们就更是完全用不到了。 写到这儿我只想大喊一句：祖国牛逼呀，华为有救了。