光刻机是芯片代工厂商不可或缺的必要设备，是推动半导体产业发展的核心齿轮。EUV光刻机更是如此，由于垄断了EUV光刻机技术，ASML在芯片代工市场中赚得“盆满钵满”，特别是在全球缺芯的背景下。各大芯片厂商间掀起的产能竞赛，将EUV光刻机的地位抬升至新的高度。

2021年11月22日消息，针对美国最新提出的“EUV光刻机新规”，华为推出了一项新技术，且成功申请到了该芯片技术的专利。与三星用在存储芯片当中的3D堆叠工艺类似，华为提出的双芯叠加技术是通过封装工艺将两颗具有特定功能的芯片集中在一起。实现1+1＞2，以此补足中低端制程芯片性能不足的缺点。

值得一提的是，叠加在一起的两颗芯片，并不局限于中央处理器（CPU）。包括图形处理器（GPU）、基带单元（BBU）以及图像处理器（ISP）等功能模块都可以采用此技术。简单来说，如果封装设计合理，没有出现功耗过高的问题的话。那么由两枚14纳米芯片组成的组合芯片，其性能将等同、甚至大于采用7纳米制程制造的芯片。

看到这里，可能有些朋友会问了，既然这项技术这么厉害，华为为什么不早点使用？答：功耗问题。双芯堆叠方案在累计两枚芯片性能的同时，两枚芯片的功耗也会堆加。也就是说，采用双芯堆叠方案制成的芯片，功耗、发热将是单一制程芯片的两倍，甚至更高。

以功耗、发热严重的骁龙888举例，如果双芯堆叠方案的功耗问题得不到解决，用户使用所制成产品的体验感将大打折扣。并不利于产品市场竞争力的提高。那么，这项技术就一点用处也没有了吗？当然不是。对于汽车芯片、大型计算机芯片以及服务器平台芯片来说，“双芯叠加技术”具备很大的潜力。

另外，针对此类问题，华为推出了“芯片分工解决方案”。什么意思呢？采用“双芯叠加技术”组合在一起的A、B两枚芯片，采用协同工作模式，进行数据任务处理。即A芯片在工作时，B芯片将会停止工作。以此规避两枚芯片同时工作时所产生的高负荷功耗问题。采用此种方式，一定程度上能够缓解“双芯叠加技术”带来的功耗、发热负担。

按下葫芦浮起瓢，对于PC端、手机等精密设备来说，双芯解决方案不过是缓兵之计。因为当信息设备在处理复杂图像、大型数据时，采用协同技术很难满足设备对数据任务解决的性能需求。但这也是没有办法的事情。

美国为了拦截国产半导体行业的发展，已经无所不用其极。对EUV光刻机规则进行了修改，规定EUV光刻机不得出现在大陆境内。原先我们只是不能进口，现在我们连看都不能看了。补充一点，受此影响，SK海力士被迫打消了将江苏分厂产线上的光刻机设备更换为EUV光刻机的念头。另外，英特尔在四川成都子公司的扩建计划也被美国打消。

美国半导体再改半导体市场规则，更加坚定了我们独立研发核心技术的决心。眼下光刻机设备依旧重要，我们要想在半导体领域中掌握主动权，就必须攻坚与芯片代工相关的生产链设备。虽然很难，但绝对值得。祝愿国产半导体行业早日克服核心技术难题，在半导体领域中早日掌握主动权。

对于华为提出的“双芯叠加技术”，大伙有什么想说的呢？你认为采用双芯叠加技术，能否帮助华为及其它国产厂商渡过难关呢？欢迎在下方留言、评论。我是柏柏说科技，资深半导体科技爱好者。关注我，带你了解更多最新的半导体资讯，学习更多有用的半导体知识。

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