近日，多个数码博主表示：中芯国际12nm芯片初步量产，华为的麒麟芯片产能即将恢复。

细心的网友发现了端倪，华为的麒麟9000是5nm工艺，现在中芯国际的工艺是12nm，顶级的手机芯片能造出来？

今天我们就一起聊一聊，中芯国际和华为的那些事。

2020年12月，中芯国际宣布试产第二代FinFET N 1 芯片，该芯片的制程工艺将达到12nm，各方面性能也会有所提高。

要知道中芯国际在2020年初刚刚量产14nm芯片，一年时间就从14nm跨越到12nm，这足见中芯国际的研发实力不可小觑啊！

当然这离不开我国芯片产业的助攻，早在2020年7月，我国相关部门就宣布投资1600亿元帮助上海芯片制造业的发展。

总的来说，中芯国际从2000年成立，在围追堵截的情况下，用时22年实现12nm芯片的量产，不得不说是一个奇迹。

对于中芯国际的12nm技术，褒贬不一。

有的网友说：12nm很厉害了，成立了半个世纪的英特尔不也才10nm吗？

也有不同声音：台积电、三星已经3nm了，差距达到了4代了。

那么中芯国际的12nm工艺究竟如何呢？

客观的说，从12nm工艺来看，中芯国际的芯片制造水平已经处于全球一流水平，尽管与台积电、三星还有很大差距。

至于英特尔的工艺，实际上更加复杂。

国外网友选取了英特尔的14nm 工艺的酷睿i9-10900K与台积电的 AMD 锐龙93950X做了对比，当然是用电子显微镜观看的。

结果发现：采用了台积电7nm工艺的AMD芯片只比英特尔的密度大一点点而已，也就是说英特尔的14nm 要比台积电的10nm更加先进。

按照这个标准的话，英特尔目前的10nm已经超过了台积电的7nm工艺了。

另一家芯片代工企业联电，占据了全球7%的市场份额，是全球第三大晶圆代工厂。其在2018年就宣布不再投资12nm以下的先进制程。

也就是说，中芯国际在芯片制程方面位居全球第四，仅次于台积电、三星和英特尔。

台积电、三星、英特尔背后都有强大的美方资本，中芯国际已经算得上异军突起了。

从理论上讲，中芯国际12nm工艺相当于台积电的12nm，可以制造出麒麟710。

我们知道，华为高端芯片的痛点就是制造，台积电和三星都靠不住了，只能依靠内地的中芯国际。

中芯国际CEO梁孟松也发布公告，称：7nm技术已经攻克，正在攻关5nm、3nm，只待EUV光刻机。

也就是说，中芯国际的先进制程卡在了“EUV光刻机”上，那么我们研发EUV光刻机不就完了，但实际上EUV光刻机太难研发了。

EUV光刻机是工业制造皇冠上的明珠，也是全球技术的集大成者，哪怕是ASML也只掌握了全部技术的10%。

这些技术以极紫外光源、透镜为最难。

极紫外光波长为13.5nm，而且极易被吸收，大自然中并没有这类光源，因此只能自己研发。

ASML的方法是采用30KW的大功率激光器，轰击下落的锡滴产生极紫外光。

首先产生温度高达20万℃的两束激光，第一束将锡滴轰击成特定的形态，第二滴再次轰击锡滴形成极紫外光。

可以想象它的精确度有多高，制造这些设备的机床有多精密，而这恰是我们的不足之处。

而透镜要求则更高

对平整度的要求，相当于上海至北京的高铁，起伏度不超过2CM，这样的难度简直是可怕。

此外，由于玻璃也能吸收极紫外光，透镜上还必须镀上几nm厚的特殊材料。

这些工艺、配方同样是我们缺少的。

此外，EUV光刻机拥有高达10万个精密配件，以一己之力全部攻克，被称作“不可完成的任务”。

为了实现高端芯片国产化，中科院、清湖大学、华为、上海微电子等研发机构、高校、企业已经展开了研究。

根据相关专家的估算，需要至少5—10年时间，才能攻克EUV光刻机，也就是短时间内仍然用不上高端麒麟芯片。

中芯国际量产12nm芯片，绝对算好事，尽管与台积电、三星技术相差很大，但已经算不小的进步了。

12nm能够量产麒麟710这类的终端芯片，高端芯片仍然无法实现。

而随着中科院、清华大学、华为、中芯国际、上海微电子在芯片制造领域的不断努力，未来5—10年，或能使用上高端国产芯片。

我是科技铭程，欢迎共同讨论！

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