华为作为国内智能手机行业的技术天花板和全球5G通讯龙头，其在海内外市场的广泛影响力招来了国外厂商的妒忌。为了限制我国半导体行业的发展，以美国为首的半导体垄断联盟开始打压国产半导体厂商。

但华为终归是华为，在美国垄断联盟的高强度打压下，华为依旧在2021年4月22日完成麒麟芯片的商标注册。彼时，有关华为3纳米麒麟芯片正在设计的消息传播开来。不知大伙是否想过这样一个问题，倘若不计成本，华为能否制备出3纳米麒麟芯片呢？

换句话说，光刻机是制约我国半导体行业发展的关键因素。光刻机分为三大核心技术：双工件台、光刻光源、光刻镜头。双工件台我们有北京华卓精科，值得一提的是，华卓精科是继ASML之后，全球第二家掌握双工件台技术的中国厂商。上海微电子的28纳米浸入式光刻机，使用的双工件台系统便是华卓精科的。

光刻光源方面，清华大学破冰“稳态微聚束”光源，缩短了光源波长，助推我国未来半导体芯片制程的发展。长春光机所、上海光机所、哈工大团队着手EUV光源，成功破冰国外技术壁垒，推出了与ASML EUV光刻机同等效力的极紫外光源。

至于难度最高的光学镜头，中科院承接的超高能辐射光源、中科科仪旗下的中科科美推出的直线式劳埃透镜镀膜装置及纳米聚焦镜镀膜装置，为光镜头提供了一定的技术支持。但这只是解决了光学镜头的其中一个环节，有关镜头的镜面打磨和材料等问题，还没有得到解决。换句话说，镜头已经是国产半导体需要着重攻坚的项目。目前我们只是实现了光镜技术从零到一的突破。

倘若排除成本，华为的3纳米麒麟芯片可以通过什么方式实现生产呢？

激光雕刻与采用石墨烯、硫化铂材料的浸入式生产。我国对激光技术的应用可谓炉火纯青，曾经卡住美国半导体发展十五年的福晶科技旗下的KBBF晶体便是一个很好的例子。采用激光雕刻，可以满足3纳米及3纳米以下的芯片生产。但该类方式的生产效率很慢，时间成本、人力成本以及设备后续的维修费也很高。

其次是石墨烯晶圆与硫化铂材料制程的半导体芯片，由于其内置规格的优越性与极高的热传导性、导电性。同等制程下制成的石墨烯芯片、硫化铂芯片其性能是传统硅基芯片的5~10倍。倘若不计较后续材料、技术推进所需的设备、人才培养费，石墨烯与硫化铂材料可以满足华为3纳米芯片的生产。

目前我们在芯片代工领域中实现了许多从无到有的突破，芯片制造已经来到了28纳米的制程节点。有关14纳米制程，中国电子信息产业发展研究院电子信息研究所所长温晓君在接受采访时表示：我国将在2022年完成14纳米项目的攻坚，实现14纳米制程设备的交付。祝愿国产半导体厂商愈发强大，在半导体领域中早日掌握自主权。

对于我国的半导体行业发展现状，大伙有什么想说的呢？对于国产半导体行业的发展，你有什么好的意见或是建议呢？欢迎在下方留言、评论。我是柏柏说科技，资深半导体科技爱好者。关注我，带你了解更多资讯，学习更多知识。

花粉社群VIP加油站