关注中国科技的朋友们都知道，自上个世纪五十年代，由诺伊斯和基尔比同时发明的集成电路诞生以来，一直影响着全球科学技术的发展。

两位发明人所在的研发单位仙童半导体和德州仪器开启了全球半导体技术的先河。随后计算机产业兴起，英特尔顺势凭借电脑端处理器芯片，几乎垄断了全球的芯片市场，并且英特尔在很长一段时间里是摩尔定律的直接受益者。

不过，此后英特尔碰上了2008-2009年的金融危机，而且受到反摩尔定律的作用影响，处理器价格不断下降，“诺威格效应”开始显现。

英特尔

所以，英特尔在新市场的开拓上变得举步维艰。更重要的是，英特尔错失了移动通信产业的机遇，基于ARM架构的处理器占到了98%的市场，此时的英特尔明显落后于高通和德州仪器，最后将移动处理器业务卖给了美满电子，彻底退出了移动处理器市场。

尽管英特尔宣布重返移动终端市场，但效果不佳。因为，英特尔想着“全程包揽”的整合模式使得英特尔自身进度缓慢，处理器研发上比不上高通、博通等企业，制造上英特尔至今仍然无法独立完成7纳米及以上先进制程的芯片，制造技术远落后于中国台积电。

台积电

要知道，7纳米及其以上先进工艺制程的芯片，其应用场景主要集中在手机等移动终端设备上。所以长期以来，包括国外的部分芯片设计厂商和国内厂商们的芯片代工订单基本都是交由台积电来生产的。而反观国内以中芯国际为代表的芯片制造，14纳米从去年就已经能够达到量产的水准了，并且14纳米已经投入应用，比如麒麟710A芯片，搭载在华为Nova 8 se手机上。

搭载麒麟710A的华为Nova8se

其实，早在2019年中芯国际的第一代14纳米技术已经进入了量产阶段。此外，根据中芯国际联席CEO梁孟松博士的意思，去年的N+1工艺也已经进入小量试产的阶段。要知道，N+1工艺效能上是7纳米的水准，比起14纳米性能提升20%。而且梁孟松博士表示，国产的7纳米技术已经完成了研发。

更重要的是，芯片的五大板块，设计、制造、原材料、制造设备和封装封测，其中封装封测是产品产业中的下游，国内的芯片设计能力已经达到国际领先水平，近期在光刻胶的材料方面也迎来好消息。

这就意味着，材料、设备和制造，这三大核心技术的接连突破。

首先，光刻胶作为生产的核心材料之一，在芯片制造中与光刻胶配套作业，能够共同决定芯片制造的水平。好消息是国产光刻胶迎来新的进展，据悉，以加工生产原材料为主业的南大光电表示，研发制造的ArF光刻胶已经通过了国家验收。

要知道，ArF光刻胶是国际半导体行业使用最多的材料之一，可用于14纳米到7纳米的芯片制造。不过需要注意的是，ArF光刻胶还没有形成规模化量产。

光刻胶消息截图

不过，自主研制的ArF光刻胶既然已经通过国家验收，在一定周期内距离生产也就不远了。因为根据南大光电的公告，其已经建成了25吨年产量的ArF光刻胶的生产线。更重要的是，由于我国作为最大的消费市场，有了自主化的生产线，我们向国外厂商购买光刻胶的比例也会降低，这就意味着我们芯片产业自主化之路又加速了。

光刻胶图

其次，制造设备。光刻机作为芯片制造环节所需的核心设备，其实早在2018年，由中国科学院旗下研制的光刻机已经投入了应用，光刻分辨能力可以达到22纳米，结合双层曝光技术，可以实现10纳米水平的芯片制造。

来源新华社

而且，上海微电子已经量产的90纳米，65纳米的SMEE封装光刻机正式下线并进入调试阶段。值得注意的是，新一代国产浸润式光刻机将在明年下线，结合多层曝光技术，可以实现先进工艺的制造。

此外，据央视消息，由中科院旗下所承担建设的国内首台高能同步辐射光源科研设备已经进入安装阶段。这也就为促进我们光源技术的发展奠定了基础。

最后，7纳米的研发。根据去年年底中芯国际联席CEO梁孟松表示，7纳米的研发已经完成，相当于7纳米的N+1工艺进入了“小量试生产”的阶段，N+2工艺也在推进中。现如今，可以说中芯国际掌握的实验室阶段7纳米技术，就待试生产了。

中芯国际消息截图

因此，在材料、设备和制造的这三大核心技术方面，我们逐步实现了突破，意思就是7纳米芯片技术获得加速。

综合从另一角度来看，华为“等”住了国产芯片突破的时候了，不仅体现在了刚刚上市不久的华为Nova 8 SE手机上，而且7纳米实现量产后，依旧可以活跃在智能手机市场。您觉得呢？记得留言讨论。