极紫外线光刻机也称“EUV光刻机”,是一种芯片制造工具,也是大规模集成电路生产的主要设备,小于5nm的晶圆只有极紫外线光刻机可以制造,因此极紫外线光刻机对于芯片的制造有着非同一般的意义。
根据专利申请书显示,华为申请的这项专利并不是制造EUV光刻机的专利,而是EUV光刻机的其中一个部分的专利,该专利主要解决光刻机中的“匀光问题”,“匀光问题”是在匀光系统上所出现的问题。匀光系统指的是当光照在一个特殊材质上时,收集的光可以均匀分布,光亮能否均匀分布对于成品质量具有决定性作用,这就意味着若华为解决了“匀光问题”,那么在EUV光刻机的研发方面将拥有重大突破。据了解,华为将使用一种装置来解决“相干光固定的干涉图样而无法匀光的问题”。
综合来看,华为对EUV光刻机的研发的布局是先突破核心关键技术,再进行整体综合研发。华为的新专利对于我国光刻机研究具有重大意义,或将打破ASML公司在光刻机领域的“一家独大”。
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