极紫外线光刻机也称“EUV光刻机”，是一种芯片制造工具，也是大规模集成电路生产的主要设备，小于5nm的晶圆只有极紫外线光刻机可以制造，因此极紫外线光刻机对于芯片的制造有着非同一般的意义。
根据专利申请书显示，华为申请的这项专利并不是制造EUV光刻机的专利，而是EUV光刻机的其中一个部分的专利，该专利主要解决光刻机中的“匀光问题”，“匀光问题”是在匀光系统上所出现的问题。匀光系统指的是当光照在一个特殊材质上时，收集的光可以均匀分布，光亮能否均匀分布对于成品质量具有决定性作用，这就意味着若华为解决了“匀光问题”，那么在EUV光刻机的研发方面将拥有重大突破。据了解，华为将使用一种装置来解决“相干光固定的干涉图样而无法匀光的问题”。
综合来看，华为对EUV光刻机的研发的布局是先突破核心关键技术，再进行整体综合研发。华为的新专利对于我国光刻机研究具有重大意义，或将打破ASML公司在光刻机领域的“一家独大”。
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